商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.3V@5mA,0.3V | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@5mA,0.25mA | |
| 输入电阻 | 6.11kΩ | |
| 电阻比率 | 10 |
商品特性
- 内置偏置电阻，R1 = 4.7 kΩ，R2 = 47 kΩ
- 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路
- 操作时只需设置开/关状态，使电路设计更简单
- 互补NPN类型：DTC143Z系列
应用领域
- 反相器
- 接口
- 驱动器
- 2302492-2
- 5124-0-19-15-34-27-10-0
- SIT8208AI-81-25E-74.250000
- 4590R-335J
- SIT1602BC-73-33N-25.000000
- SIT1602BI-33-25S-38.400000
- SG-8018CA 28.3760M-TJHSA0
- 4553-0-15-80-21-27-10-0
- 1511181024
- GSF1.2202.31
- SN65HVD01-EVM
- SG-8018CG 112.3100M-TJHSA0
- 6HDD15SAR99E20X
- M85049/84-12P02
- SIT8208AI-82-18S-77.760000
- GCM1885C1H2R7BA16J
- QEDB201Q241F1GV001E
- SIT1602BI-31-XXN-8.192000
- 2-2842301-6
- 5022R-333H
- MS27501C9C