TH58NYG3S0HBAI4
TH58NYG3S0HBAI4
- 描述
- TH58NYG3S0HBAI4是一款单1.8V 8Gbit (9,126,805,504位) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM),组织为(4096+256)字节×64页×4096块。具有8位ECC,支持串行输入/输出,命令控制等功能。
- 品牌名称
- KIOXIA(铠侠)
- 商品型号
- TH58NYG3S0HBAI4
- 商品编号
- C17235551
- 商品封装
- TFBGA-63(9x11)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.622克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | 25ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 300us | |
| 块擦除时间(tBE) | 3.5ms | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
优惠活动
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