TH58NYG3S0HBAI4

8 Gbit CMOS NAND E2PROM

描述: TH58NYG3S0HBAI4是一款单1.8V 8Gbit (9,126,805,504位) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM)，组织为(4096+256)字节×64页×4096块。具有8位ECC，支持串行输入/输出，命令控制等功能。
品牌名称: KIOXIA(铠侠)
商品型号: TH58NYG3S0HBAI4
商品编号: C17235551
商品封装: TFBGA-63(9x11)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.622克(g)

商品参数

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	3.5ms
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	100uA
	擦写寿命	-
	功能特性	硬件写保护功能；读缓存功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能