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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他模块 | |
| 类型 | 电源管理 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 睡眠唤醒功能；过流保护；短路保护；欠压保护；热保护 |
商品概述
本文档作为评估 DRV8706x-Q1、DRV8106x-Q1、DRV8705x-Q1、DRV8714x-Q1 和 DRV8718x-Q1 客户评估模块 (EVM) 的补充资料。这些电机驱动器是高度集成的 H 桥栅极驱动器，能够驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。IC 使用集成电荷泵为高端生成适当的栅极驱动电压，使用线性稳压器为低端生成（DRV8106x-Q1、DRV8705x-Q1 和 DRV8706x-Q1 为倍压器，DRV8714x-Q1 和 DRV8718x-Q1 为可配置倍压器/三倍压器）。该器件采用智能栅极驱动架构，以降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器优化死区时间以避免直通情况，通过可调栅极驱动电流控制来降低电磁干扰 (EMI)，并通过 VDS 和 VGS 监视器防止漏源和栅极短路情况。宽共模分流放大器提供在线电流感应，即使在续流窗口期间也能连续测量电机电流。如果不需要在线感应，该放大器可用于低端或高端感应配置。电机驱动器提供一系列保护功能，以确保系统稳定运行。这些功能包括电源和电荷泵的欠压和过压监视器、外部 MOSFET 的 VDS 过流和 VGS 栅极故障监视器、离线开路负载和短路诊断，以及内部热警告和关断保护。EVM 有一个由四个 N 沟道 MOSFET 组成的 H 桥，可双向驱动电机，最大 RMS 电流为 15 A，峰值电流为 20 A；或由八个 N 沟道 MOSFET 组成，可双向驱动电机，最大 RMS 电流为 30 A，峰值电流为 40 A。EVM 由单个电源为模拟电源供电，由 USB 线为数字电源供电，也可定制为外部供电。提供负 18 V 或反接电池保护电路，以及额定 20 A RMS 的 PI 滤波器，以清理电源输入并防止电池极性反接。