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SH8J31GZETB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SH8J31GZETB

2个P沟道 耐压:60V 电流:4.5A

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品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
SH8J31GZETB
商品编号
C17235229
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.054克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4.5A
导通电阻(RDS(on))70mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V@1mA
栅极电荷量(Qg)40nC@10V
输入电容(Ciss)2.5nF
反向传输电容(Crss)140pF
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
输出电容(Coss)540pF

商品特性

  • 功率半导体
  • 超低导通电阻(RDSon)
  • 低米勒电容
  • 超低栅极电荷
  • 雪崩能量额定值
  • 高耐用性
  • 极低杂散电感
  • 对称设计
  • 内置用于温度监测的热敏电阻
  • 高度集成

应用领域

  • 交流和直流电机控制
  • 开关模式电源
  • 功率因数校正

数据手册PDF