商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 89A | |
| 耗散功率(Pd) | 395W |
商品概述
MSCSM120HM31T3AG器件是一款相臂1200V、89A碳化硅（SiC）MOSFET功率模块。
商品特性
- SiC功率MOSFET：低导通电阻（RDS(on)）
- 高温性能
- 开尔文源极，便于驱动
- 极低的杂散电感
- 内置热敏电阻，用于温度监测
- 采用氮化铝（AlN）基板，提高热性能
应用领域
- 焊接转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 电动汽车电机和牵引驱动
- SXO21C3A381-10.000M
- 1381G2-BK
- 1609117-8
- SIT9120AI-1D3-XXE74.250000
- XLH336050.000000I
- TPS22995HQ1EVM
- 170988-1
- XF-10223
- NTCG164QH224JT1
- XEGAWT-H2-0000-000-00000HT535G
- 0936010423
- BPRR001010511R0TA0
- SIT8208AC-3F-18E-38.000000X
- SIT9365AI-4E2-28E148.351648
- GCM1887U1H912JA16J
- PLT237/T8WH
- TST-105-02-S-S
- 32_MBX-50-0-14/133_NH
- 656P15625I3T
- 25QHM53D1.0-2.480
- 5041950270