W9864G2JB-6
高速同步动态随机存取存储器
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- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W9864G2JB-6
- 商品编号
- C17234720
- 商品封装
- TFBGA-90(8x13)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.926克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 64Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 166MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 功能特性 | 自动预充电;自动刷新;高速时钟同步;自动列地址生成 | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品概述
W9864G2JB是一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM),组织形式为512K字×4个存储体×32位。W9864G2JB的数据带宽高达每秒166M字。对于不同的应用,W9864G2JB分为以下速度等级:-6、-6l、-7和-7l。-6和-6l型号最高可运行在166MHz/CL3。-7和-7l型号最高可运行在143MHz/CL3。-6l、-7l为工业级型号。对SDRAM的访问是突发式的。当通过激活命令选择一个存储体和行时,一页内的连续存储位置可以以1、2、4、8或整页的突发长度进行访问。在突发操作中,SDRAM内部计数器会自动生成列地址。通过在每个时钟周期提供地址,也可以进行随机列读取。多存储体特性使得内部存储体之间能够进行交错操作,以隐藏预充电时间。通过可编程模式寄存器,系统可以更改突发长度、延迟周期、交错或顺序突发,以最大化其性能。W9864G2JB非常适合用于高性能应用中的主存储器。
商品特性
- -6和-61速度等级的电源电压为3.3V ± 0.3V
- -7和-71速度等级的电源电压为2.7V ~ 3.6V
- 最高时钟频率达166 MHz
- 组织形式为524,288字×4个存储体×32位
- 自刷新模式
- 列地址选通(CAS)延迟:2和3
- 突发长度:1、2、4、8和整页
- 顺序和交错突发
- 突发读取、单写入模式
- 字节数据由DQM0 - 3控制
- 自动预充电和可控预充电
- 在-40°C ≤ TA / TCASE ≤ 85°C时,每64毫秒有4K次刷新周期
- 接口:低压晶体管 - 晶体管逻辑(LVTTL)
- 采用TFBGA 90球封装(8×13 mm²),使用符合RoHS标准的无铅材料
- 当TA / TCASE > 85°C时,不支持自刷新功能
- S80KS2563GABHM023
- SI5338A-B11965-GM
- SI5338P-B11818-GMR
- RC19013A100GNG#KB0
- SI5338C-B11597-GM
- SI5338G-B02346-GMR
- SI5338A-B14059-GMR
- IS43LD16128C-18BLI-TR
- SI5338A-B08376-GMR
- SI5338C-B11178-GM
- RCS0603J302CS
- 0300-2-15-15-47-14-10-0
- S-1701U2522-U5T1G
- M0820-66K
- CAP-WADMSPB1
- SPMWH3228FD5WAVMS4
- SIT1602BI-82-28N-38.400000
- XPGWHT-P1-0000-00CZ8
- RC1005F434CS
- 60260
- SW19SSM133
