IS43TR82560DL-107MBL-TR
2Gb DDR3 SDRAM
- 描述
- 256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3L SDRAM。支持高速数据传输速率，具有异步复位引脚，支持低功耗模式。工作温度范围包括商业级（0°C至95°C）、工业级（-40°C至95°C）和汽车级（-40°C至125°C）。
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS43TR82560DL-107MBL-TR
- 商品编号
- C17234675
- 商品封装
- TWBGA-78(8x10.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.316克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3L SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 933MHz | |
| 存储容量 | 2Gbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.283V~1.45V | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
该文档介绍了256Mx8、128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM的相关信息，包括其特性、配置、封装、引脚说明以及复位和初始化过程等。在复位和初始化方面，详细说明了上电初始化序列，如施加电源时的电压要求、复位信号的保持时间、时钟的启动和稳定要求等，还阐述了芯片在不同阶段的状态和信号设置。
商品特性
- 标准电压：VDD和VDDQ = 1.5V ± 0.075V
- 低电压（L）：VDD和VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V，向后兼容1.5V
- 高速数据传输速率，系统频率高达1066 MHz
- 8个内部存储体，可并发操作
- 8n位预取架构
- 可编程CAS延迟
- 可编程附加延迟：0、CL - 1、CL - 2
- 基于tCK的可编程CAS写延迟（CWL）
- 可编程突发长度：4和8
- 可编程突发序列：顺序或交错
- 动态BL切换
- 自动自刷新（ASR）
- 自刷新温度（SRT）
- 刷新间隔：7.8 μs（8192周期/64 ms），Tc = -40°C至85°C；3.9 μs（8192周期/32 ms），Tc = 85°C至105°C；1.95 μs（8192周期/16 ms），Tc = 105°C至115°C；0.97 μs（8192周期/8 ms），Tc = 115°C至125°C
- 部分阵列自刷新
- 异步复位引脚
- 支持TDQS（终结数据选通）（仅x8）
- OCD（片外驱动器阻抗调整）
- 动态ODT（片上终结）
- 驱动器强度：RZQ/7、RZQ/6（RZQ = 240 Ω）
- 写电平调整
- DLL关闭模式下高达200 MHz
- 工作温度：商业级（Tc = 0°C至 +95°C）；工业级（Tc = -40°C至 +95°C）；汽车级，A1（Tc = -40°C至 +95°C）；汽车级，A2（Tc = -40°C至 +105°C）；汽车级，A25（Tc = -40°C至 +115°C）；汽车级，A3（Tc = -40°C至 +125°C）