- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IS43TR16640ED-125KBLI-TR
1Gb DDR3 SDRAM 带 ECC
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS43TR16640ED-125KBLI-TR
- 商品编号
- C17234608
- 商品封装
- TWBGA-96(9x13)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.414克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动预充电；自动重置；自动刷新；高速时钟同步 |
商品特性
- 标准电压：VDD 和 VDDQ = 1.5V ± 0.075V
- 高达800 MHz的系统频率，实现高速数据传输
- 8个内部存储体支持并发操作
- 8n位预取架构
- 可编程CAS延迟
- 可编程附加延迟：0， CL-1， CL-2
- 基于tCK的可编程CAS写入延迟
- 可编程突发长度：4和8
- 可编程突发序列：顺序或交错
- 突发长度动态切换
- 自动自刷新
- 自刷新温度
- 单比特错误校正
- 突发长度和数据掩码限制
- 配置：128Mx8， 64Mx16
- 封装：x16采用96球FBGA， x8采用78球FBGA
- 刷新间隔：7.8 μs， 3.9 μs， 1.95 μs
- 部分阵列自刷新
- 异步复位引脚
- 支持终端数据选通
- 片外驱动器阻抗调整
- 动态片上终端
- 驱动强度：RZQ/7， RZQ/6
- 写入均衡
- 工作温度：汽车级A1， A2， A3
- IS42S32160F-7BLI-TR
- IS45S16160J-7BLA2-TR
- SI5338K-B13204-GMR
- IS43LR16160H-6BLI
- SI5334L-B04619-GM
- SI5338N-B12439-GMR
- SI5338B-B10784-GMR
- IS43R16160D-5BLI-TR
- SI5338C-B12241-GM
- SI5338B-B12965-GM
- EM6HD08EWUF-10H
- S27KS0642GABHM020
- IS43QR16256B-075UBL-TR
- SI5338N-B12222-GM
- AS1C512K16PL-70BINTR
- AS4C32M16D1-5BINTR
- IS43TR82560D-125KBLI-TR
- SI5334C-B02697-GMR
- SI5338C-B13731-GM
- SI5338C-B11384-GMR
- SI5338L-B13699-GMR