S29AL008J70TFM023

S29AL008J是一款8兆位、仅3.0伏的闪存，组织为1,048,576字节或524,288字。该设备提供48球细间距BGA（0.8毫米间距）和48引脚TSOP封装。16位宽的数据出现在DQ15–DQ0上；8位宽的数据出现在DQ7–DQ0上。此设备设计为在系统内使用标准系统3.0伏VCC供电进行编程。写入或擦除操作不需要12.0 VPP或5.0 VCC。该设备也可以通过标准EPROM编程器进行编程。

该设备提供了高达55纳秒的访问时间，允许高速微处理器无需等待状态即可运行。为了消除总线争用，该设备具有单独的芯片使能（CE#）、写使能（WE#）和输出使能（OE#）控制。

该设备仅需单个3.0伏电源即可执行读取和写入功能。内部生成并调节的电压用于程序和擦除操作。

S29AL008J完全兼容JEDEC单电源闪存标准命令集。命令通过使用标准微处理器写入时序写入命令寄存器。寄存器内容作为输入到内部控制状态机，控制擦除和编程电路。写周期还内部锁存编程和擦除操作所需的地址和数据。从设备读取数据类似于从其他闪存或EPROM设备中读取数据。

设备编程是通过执行编程命令序列来实现的。这启动了嵌入式编程算法——一种自动定时编程脉冲宽度并验证适当单元边距的内部算法。解锁旁路模式通过只需要两个写周期而不是四个写周期来编程数据，从而加快了编程速度。

设备擦除是通过执行擦除命令序列来实现的。这启动了嵌入式擦除算法——一种在执行擦除操作之前自动预编程阵列（如果尚未编程）的内部算法。在擦除过程中，设备自动定时擦除脉冲宽度并验证适当的单元边距。

主机系统可以通过观察RY/BY#引脚或读取DQ7（数据轮询）和DQ6（切换）状态位来检测编程或擦除操作是否完成。在编程或擦除周期完成后，设备准备好读取阵列数据或接受另一条命令。

扇区擦除架构允许擦除和重新编程内存扇区而不影响其他扇区的数据内容。设备出厂时已完全擦除。

硬件数据保护措施包括一个低VCC检测器，在电源转换期间自动禁止写操作。硬件扇区保护功能可以禁用任何组合的内存扇区中的编程和擦除操作。这可以在系统内或通过编程设备实现。

擦除暂停/恢复功能允许用户将擦除操作暂停任意时间，以便从未选择擦除的任何扇区读取数据或向其编程数据。因此可以实现真正的后台擦除。

硬件RESET#引脚终止正在进行的任何操作，并将内部状态机重置为读取阵列数据。RESET#引脚可以连接到系统复位电路。这样，系统复位也会重置设备，使系统微处理器能够从闪存中读取启动固件。

该设备提供两种节能特性。当地址稳定了一定时间后，设备进入自动睡眠模式。系统还可以将设备置于待机模式。这两种模式下功耗大大降低。

Cypress闪存技术结合多年的闪存制造经验，生产出最高质量、可靠性和成本效益的产品。该设备通过Fowler-Nordheim隧穿同时电擦除扇区内所有位。数据使用热电子注入进行编程。