商品概述

这种GaNFast™功率IC集成了高性能eMode GaN FET和集成栅极驱动，实现了前所未有的高频和高效率运行。还集成了GaNSense™技术，能够实时、准确地感应电压、电流和温度，进一步提高了性能和鲁棒性，这是任何分立的GaN或硅器件都无法实现的。GaNSense™支持无损电流感应，消除了外部电流感应电阻，并提高了系统效率。GaNSense™还提供了短路和过温保护，以提高系统鲁棒性，而自动待机模式则提高了轻载、微小负载及空载效率。这些GaN IC结合了最高的dV/dt抗扰度、高速集成驱动以及行业标准的低剖面、低电感SMT QFN封装，使设计人员能够实现简单、快速且可靠的解决方案。Navitas的GaN IC技术扩展了传统拓扑结构（如反激式、半桥、降压/升压、LLC和其他谐振转换器）的能力，使其能够在非常高的效率和低EMI下达到MHz+频率，从而以非常有吸引力的成本结构实现前所未有的功率密度。

应用领域

AC-DC、DC-DC、DC-AC
高频操作高达 2 MHz
QR 蛙背式、AHB、降压、升压、半桥、全桥、LLC 共振、D 类放大器、PFC
无线充电、太阳能微型逆变器

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	属性	参数值
	商品目录	功率电子开关
	类型	高侧开关
	通道数	1
	输入控制逻辑	高电平有效

	属性	参数值
	最大连续电流	3A
	工作电压	700V
	导通电阻	450mΩ
	工作温度	-55℃~+150℃

NV6132A-RA

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