商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺针对导通电阻rDS(ON)、开关性能和耐用性进行了优化。
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -14 A条件下，最大导通电阻rDS(on) = 8.4 mΩ
- 在VGS = -2.5 V、ID = -11 A条件下，最大导通电阻rDS(on) = 13 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻rDS(on)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力
- 引脚无铅，符合RoHS标准
- 人体模型（HBM）静电放电（ESD）能力典型值 >3.6 KV
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
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