商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术-低导通电阻RDS(ON)-低栅极电荷-出色的热性能-符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 电池充电器
- 打印机电源
- 复印机
- 硬盘驱动器(HDD)、软盘驱动器(FDD)、电视、录像机(VCR)
- 个人计算机
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