商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 30 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 10V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 2.5V@10mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 800mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 10kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 150mV | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品概述
采用表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN/PNP带电阻晶体管(RET)。
商品特性
- 输出电流能力达100 mA
- 内置偏置电阻
- 简化电路设计
- 减少元件数量
- 降低贴装成本
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- 低电流外设驱动器
- 控制IC输入
- 在数字应用中替代通用晶体管
- 667-112-10-303A
- XPGWHT-L1-R250-00EE7
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- DB25-SD
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- MS3437C36C
- 732-8020-02
- C3290-14.318180
- UFR8515
- MDM-21PSM2
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- 0349521611
- P160-332FS


