商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@2V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 针对宽带工作(直流 - 4 GHz)进行优化
- 在3000 MHz频率下,P3dB连续波功率为25 W
- 在应用电路板中,1.0 - 2.5 GHz频率范围内,P3dB连续波功率为16 - 20 W,漏极效率>45%
- 在应用电路板中,0.03 - 1.0 GHz频率范围内,P3dB连续波功率为10 - 20 W,漏极效率>50%
- 在14至28 V电压下具有高效率
- 热阻(RTH)为4°C/W,结温(TJ)<200°C
- 在90°C法兰温度下,所有角度的电压驻波比(VSWR)失配高达10:1时仍性能稳健,且器件无损坏
- 受EAR99出口管制
- 符合RoHS*标准
应用领域
- 陆地移动无线电
- 无线基础设施
- 工业、科学和医疗(ISM)频段
- VHF/UHF/L/S波段雷达
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