商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 27pF | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | P沟道 |
商品特性
- 对称几何结构允许这些单元在源极/漏极引线互换的情况下工作。
- 当环境温度TA > +25°C时，以3.0 mW/°C的速率线性降额。
- 封装：陶瓷。
- 引脚：镀镍底层上镀金。仅商业级提供符合RoHS标准的哑光/镀锡。
- 标记：产品编号、日期代码、制造商标识。
- 卷带包装选项：符合EIA - 418D标准。具体数量咨询厂家。
- 重量：<0.04克。
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