商品参数
参数完善中
商品特性
- 集成双通道射频前端2级LNA和高功率SPDT开关
- 片上偏置和匹配
- 单电源工作
- 增益
- 高增益模式：3.6 GHz时典型值为32 dB
- 低增益模式：3.6 GHz时典型值为16 dB
- 低噪声系数
- 高增益模式：3.6 GHz时典型值为1.45 dB
- 低增益模式：3.6 GHz时典型值为1.45 dB
- 高隔离度
- RXOUT-CHA和RXOUT-CHB：典型值为47 dB
- TERM-CHA和TERM-CHB：典型值为52 dB
- 低插入损耗：3.6 GHz时典型值为0.65 dB
- 高功率处理能力（TCASE = 105℃）
- 全寿命LTE平均功率（9 dB PAR）：40 dBm
- 单事件（<10秒操作）LTE平均功率（9 dB PAR）：43 dBm
- 高OIP3：典型值为32 dBm
- LNA的关断模式和低增益模式
- 低供电电流
- 高增益模式：5 V时典型值为86 mA
- 低增益模式：5 V时典型值为36 mA
- 关断模式：5 V时典型值为12 mA
- 正逻辑控制
- 6 mm x 6 mm，40引脚LFCSP封装
应用领域
- 无线基础设施
- TDD大规模多输入多输出和有源天线系统
- TDD通信系统
优惠活动
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