温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 980mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.1nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.82nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 146pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 208pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 低阈值电压
- 极快的开关速度
- 增强的功耗能力:P\text tot = 980 mW
- 2 kV人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-LED驱动器-电源管理-高端负载开关-开关电路
其他推荐
- S73305T-4.096-X-50-R
- SIT9365AC-4B3-30N106.250000
- 19432245442
- SIT8208AI-23-25S-24.576000
- 334-40-132-00-010000
- 1510634258
- 630-037-340-031
- 941-005NFH35SN-98
- 12899
- M22MP-MSF01-G
- GCM2165G2A391JA16J
- L130-5780003000W23
- SIT1602BC-21-25E-33.333330
- 5615101100F
- XPGBWT-H1-0000-00CZ7
- 25QHM572C1.0-24.960
- MK-283-009-455-220R
- ELC182100
- CMB1818-0000-000N0U0A27G
- MS3115-14L
- BAV203-GS18