商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 980mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.1nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.82nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 146pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 208pF |
商品概述
这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的加工技术,以实现每单位硅面积的低导通电阻。此外,对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化,以改善D类音频放大器的关键性能指标,如效率、总谐波失真(THD)和电磁干扰(EMI)。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和重复雪崩能力。这些特性相结合,使这款MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、耐用且可靠的器件。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 低阈值电压
- 极快的开关速度
- 增强的功耗能力:P\text tot = 980 mW
- 2 kV人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-LED驱动器-电源管理-高端负载开关-开关电路
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