商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 110V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 143mΩ@3.75V,8.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@240mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 220pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 74pF |
商品概述
一款120 W的LDMOS功率晶体管，适用于2.7 GHz至3.1 GHz频段的雷达应用。
商品特性
- 在频率2.7 GHz至3.1 GHz、电源电压32 V、静态漏极电流（IDq）100 mA、脉冲宽度（tp）100 μs、占空比（δ）10%的典型脉冲射频性能：
- 输出功率 = 120 W
- 功率增益 = 13.5 dB
- 效率 = 48 %
- 易于进行功率控制
- 集成静电放电（ESD）保护
- 脉冲格式灵活性高
- 坚固耐用性极佳
- 效率高
- 热稳定性优异
- 专为宽带运行设计（2.7 GHz至3.1 GHz）
- 内部匹配，使用方便
- 符合关于限制有害物质的2002/95/EC指令（RoHS）
应用领域
- 用于2.7 GHz至3.1 GHz频段雷达应用的S波段功率放大器