商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 110V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 143mΩ@3.75V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 220pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 74pF |
商品概述
一款120 W的LDMOS功率晶体管，适用于2.7 GHz至3.1 GHz频段的雷达应用。
商品特性
- 出色的抗扰性(所有相位下电压驻波比 ≥ 40 : 1)
- 最佳的热性能和可靠性,热阻Rth(j - c) = 0.15 K / W
- 高功率增益
- 高效率
- 专为宽带运行设计(400 MHz至1000 MHz)
- 内部输入匹配,实现高增益和最佳宽带运行
- 出色的可靠性
- 易于功率控制
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 通信发射机应用
- 工业应用