- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STGD3NB60SDT4
N沟道3A-600V，DPAK封装，功率MESH IGBT
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- 描述
- 采用基于专利条形布局的最新高压技术，推出了性能卓越的先进 IGBT 系列——PowerMESH™ IGBT。后缀 “S” 表示该系列针对低频应用（< 1 kHz）进行了优化，可实现最小导通压降。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGD3NB60SDT4
- 商品编号
- C17225633
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 6A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 25A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V@1.5A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@3A,15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 255pF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 30pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 5.6pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 125us | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 3.4us | |
| 导通损耗(Eon) | 1.1mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.15mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 1.7us | |
| 工作温度 | - |
- 627-015-224-017
- VUE-3270-FD30PX-A3
- S3G-M3/57T
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- SMHC2511-R10MHF
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- 103969-9
- GW CSSRM3.EM-N4N7-XX55-1-700-R33
- 4-2834499-4
- XB6DA11B
- SIT8208AI-2F-28E-74.176000X
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- ALD110908APAL
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- SIT8208AI-3F-25E-74.175824T
- LDH-65-1400