EK42420-05

PE42420是一款采用HaRP技术增强的吸收式单刀双掷（SPDT）射频开关，专为3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用而设计。它非常适合发射路径切换、射频和中频信号路由、自动增益控制（AGC）环路以及滤波器组切换应用。这款通用开关由两个对称的射频端口组成，在高达6 GHz的频率下具有出色的端口间隔离性能。集成的CMOS解码器实现了双引脚低压CMOS控制接口。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则无需外部隔直电容。PE42420采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘硅（SOI）技术的专利变体。Peregrine的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能。它是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具砷化镓（GaAs）的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。UltraCMOS SPDT射频开关工作频率范围为100 - 6000 MHz。

• 采用HaRP技术增强
• 无栅极和相位滞后
• 插入损耗和相位无漂移
• 高线性度
• 三阶交调截点（IIP3）为65 dBm
• 高隔离度
• 1 GHz时为69 dB
• 3 GHz时为62 dB
• 6 GHz时为50 dB
• 支持 +1.8 V控制逻辑
• 工作温度为 +105 °C
• 高静电放电（ESD）耐受性
• RFC引脚的人体模型（HBM）静电放电耐压为4 kV
• 其他引脚的人体模型（HBM）静电放电耐压为2 kV

3G/4G无线基础设施、发射路径切换、射频和中频信号路由、自动增益控制环路、滤波器组切换