商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 520pF |
商品特性
- 硅芯片置于直接覆铜陶瓷基板(DCB)上
- UL 认证封装
- 隔离安装面
- 2500V 电气隔离
- 雪崩额定
- 低栅极电荷(QG)
- 低漏极到散热片电容
- 低封装电感
- 低栅极驱动要求
- 高功率密度
- 快速本征整流器
- 低漏极到地电容
- 快速开关
应用领域
- 直流和交流电机驱动器
- 不间断电源(UPS)、太阳能和风能逆变器
- 同步整流器
- 多相直流到直流转换器
- 工业电池充电器
- 开关电源
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