商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 600V | |
| 通态电流(It) | 780A | |
| 通态峰值电压(Vtm) | 1.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 150mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 3V | |
| 保持电流(Ih) | 600mA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品特性
- 重复峰值电压:NTE5590 200V,NTE5591 600V,NTE5592 1200V,NTE5597 1600V
- 非重复峰值反向阻断电压:NTE5590 300V,NTE5591 700V,NTE5592 1300V,NTE5597 1700V
- 平均通态电流:双面冷却时470A(散热片温度+55℃),单面冷却时160A(散热片温度+85℃)
- RMS通态电流:780A(双面冷却,散热片温度+25℃)
- 连续通态电流:668A(双面冷却,散热片温度+25℃)
- 峰值单周期浪涌电流:4650A(10ms持续时间)
- 非重复通态电流:5120A(10ms持续时间)
- 最大允许浪涌能量:10ms持续时间131000A2s,3ms持续时间97350A2s
- 峰值正向门极电流:19A
- 峰值正向门极电压:18V
- 峰值反向门极电压:5V
- 平均门极功率:2W
- 峰值门极功率:100W(100μs脉冲宽度)
- 断态电压上升率:200V/μs
- 通态电流上升率:重复500A/μs,非重复1000A/μs
- 工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
- 存储温度范围:-40℃ 至 +150℃
- 热阻:结到散热片,双面冷却0.095℃/W,单面冷却0.190℃/W
- 峰值通态电压:1.75V(ITM=840A)
- 正向导通阈值电压:0.92V
- 正向导通斜率电阻:0.99mΩ
- 重复峰值断态电流:20mA
- 重复峰值反向电流:20mA
- 最大门极电流:150mA
- 最大门极电压:3V
- 最大维持电流:600mA
- 最大不触发门极电压:0.25V
- M85049/8-42W
- SIT1602BC-71-28S-7.372800
- RSSD40370C4700JB00
- STMM-115-01-F-D-SM-K-TR
- 66506-358LF
- 570-0100-223F
- FP2207R1-R230-R
- MIH302548AH-30.000MHZ-T
- QTM750-24.576MCE-T
- 629-13W3250-1TE
- IPL1-110-02-L-D-P
- SIT8208AI-GF-28S-16.368000T
- SG-8018CA 16.9340M-TJHSA0
- SG-8018CE 49.9256M-TJHPA0
- CTSFW1050F-R72M
- DSEI25-06AS-TRL
- SIT8208AC-3F-18E-31.250000T
- 622-025-368-052
- 627-9W4-222-5T1
- 1718134008
- SIT8208AC-2F-33E-24.576000T

