商品参数
参数完善中
商品特性
- 非反射式50 Ω设计
- 正控制范围：0 V至3.3 V
- 低插入损耗：8.0 GHz时为0.8 dB
- 高隔离度：8.0 GHz时为34 dB
- 高功率处理：通过路径33 dBm，终止路径27 dBm
- 高线性度：1 dB压缩点（P1dB）：典型值37 dBm，输入三阶截点（IIP3）：8.0 GHz时典型值58 dBm
- 静电放电等级：4 kV人体模型（HBM）
- 4 mm x 4 mm，24引脚LFCSP封装
- 无低频杂散
- 射频稳定时间（最终RFOUT的0.05 dB裕量）：9 µs
应用领域
- 测试设备
- 微波无线电和甚小口径终端 (VSATs)
- 光纤光学和宽带电信