- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RN1106,LF(CT
硅NPN外延型双极晶体管（PCT工艺），内置偏置电阻，适用于开关、逆变器、接口和驱动电路
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- RN1106,LF(CT
- 商品编号
- C17219061
- 商品封装
- SC-75(SOT-416)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 5mA | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 700mV@5mA,0.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 800mV@0.1mA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 4.7kΩ | |
| 电阻比率 | 0.1 | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@5mA,0.25mA | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 集成偏置电阻可减少所需外部元件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。
- 提供多种阻值的晶体管，以适应各种电路设计。
- 与RN2101至RN2106互补
应用领域
- 开关、逆变器电路
- 接口
- 驱动电路
- O076H016AWPP5N0000
- XQEBLU-H0-0000-000000205
- 516-056-520-435
- 0438795003
- 0194270104
- F12-1000-C2
- S73305T-32.000-R
- 516-090-500-205
- 626L156E6C3T
- C8100
- QEDB501Q300K1GV001E
- SE30PAG-M3/I
- FTL4C1QE3L-C
- MMDT2227A_R1_00001
- PTA1543-2015CIA103
- SIT8208AI-2F-33S-66.666600T
- SPMWHT327FD3GBR0S3
- 531AB156M250DGR
- PL9227NLT
- QLCD250Q240G1GV001T
- S1WM-3030278006-0000003S-00001