商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他模块 | |
| 类型 | 电源管理 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
这些开发板采用半桥拓扑结构,配备板载栅极驱动器,采用EPC2030/31 eGaN场效应晶体管(FET)。这些开发板的目的是简化这些eGaN FET的评估过程,将所有关键组件集成在一块板上,可轻松连接到任何现有的转换器中。开发板尺寸为2英寸×2英寸,采用德州仪器LM5113栅极驱动器,在半桥配置中包含两个eGaN FET、电源和旁路电容。该板包含所有关键组件和布局,以实现最佳开关性能,并留有额外区域用于添加降压输出滤波组件。还有各种探测点,便于进行简单的波形测量和效率计算。
- LDD-350L
- BXFN-30G-11L-37-00-0-3
- SXT21410BA48-27.120M
- SIT1602BC-21-28N-32.768000
- SIT8208AI-GF-33E-16.000000Y
- 5-147383-3
- 172-E37-213R001
- 62757-1
- MWDM2L-15P-6K5-24M
- 0705459045
- SIT8208AI-8F-33S-66.000000Y
- SIT8208AI-GF-18S-74.176000Y
- GCM1885G1H510GA16D
- TSS-104-05-L-D-RA
- 0444281403
- ZST-110-02-G-D-615
- MTD-A-03-D-1
- EV26W97A
- HTST-104-01-H-DV
- 11_4310-50-12-X60/033_-E
- SG-8018CB 23.5120M-TJHSA0

