ACPL-K33T-500E
2.5 A峰值高输出电流SiC MOSFET和IGBT栅极驱动光耦合器,带轨到轨输出电压
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- 品牌名称
- Broadcom(博通)
- 商品型号
- ACPL-K33T-500E
- 商品编号
- C17218476
- 商品封装
- SOIC-8-6.8mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 逻辑输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 工作电压 | 1.5V | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV | |
| CMTI(kV/us) | 75kV/us | |
| 传输速率 | - | |
| CTR-电流传输比 | - | |
| 通道数 | 1 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 传播延迟 tpLH | 120ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpHL | 120ns | |
| 输入阈值电流(FH) | 5.5mA | |
| 输出电流 | 2A | |
| 耗散功率(Pd) | 550mW | |
| 输出电压 | - | |
| 正向压降(Vf) | 1.5V | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 正向电流(If) | 13mA | |
| 功能特性 | 欠压锁定 |
商品概述
安华高科技的2.5安培汽车用R2Coupler®栅极驱动光耦合器包含一个铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED),该LED与一个带有功率输出级的集成电路进行光耦合。ACPL - K33T具有快速传播延迟和严格的时序偏差,专为驱动AC - DC和DC - DC转换器中使用的碳化硅(SiC)MOSFET和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)而设计。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动SiC MOSFET和IGBT,以实现高效转换。安华高R2Coupler隔离产品提供增强绝缘和可靠性,可在汽车和高温工业应用中实现关键的安全信号隔离。建议在处理和组装此组件时采取常规静电防护措施,以防止因静电放电(ESD)可能导致的损坏和/或性能下降。
商品特性
- 符合AEC - Q100 1级测试指南
- 汽车温度范围:-40°C至+125°C
- 峰值输出电流:最小2.0 A
- 轨到轨输出电压
- 传播延迟:最大120 ns
- 死区时间失真:+50 ns / -40 ns
- LED输入阈值电流迟滞
- 共模抑制(CMR):在VCM = 1500 V时最小50 kV/μs
- 低电源电流允许自举半桥拓扑:ICC最大4.2 mA
- 具有迟滞功能的欠压锁定(UVLO)保护,适用于SiC MOSFET和IGBT
- 宽工作VCC范围:15 V至30 V
- 安全认证:
- UL认可5000 VRMS,持续1分钟
- CSA
- IEC/EN/DIN EN 60747 - 5 - 5 VIORM = 1140 Vpeak
应用领域
- 混合动力传动系统DC/DC转换器
- 电动汽车/插电式混合动力汽车充电器
- 汽车隔离式IGBT栅极驱动
- 交流和无刷直流电机驱动
- XPLAWT-00-0000-000LV30F6
- S13305T-6.000-X-R
- SG-8018CB 24.545454M-TJHSA0
- FX30B-2P-7.62DSA25
- SIT8208AC-3F-25S-60.000000T
- 0432550107
- LRW0805WG39NGG001E
- 628-009-226-213
- QTM252E-25.000MDE-T
- SG-8018CA 17.2000M-TJHSA0
- EHF-113-01-S-D-SM
- AOK60B65H1
- GCM155C71A105KE38J
- TFM-115-02-S-D-A-P
- 10HPEGS1-HG
- BKT-169-04-L-V-S-A-P-TR
- 627-24W7624-3T1
- MLEAWT-P1-0000-0001A8
- 1511181038
- 166JB24
- BCR20RM-30LA#B00
