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TSM200N03DPQ33 RGG

2个N沟道耐压:30V 电流:20A

品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM200N03DPQ33 RGG
商品编号: C17217550
商品封装: PDFN-8(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.092克(g)

商品参数

商品概述

专为频率范围在1900至2000 MHz的PCN和PCS基站应用而设计。适用于TDMA、CDMA和多载波放大器应用。

商品特性

快速开关
100%雪崩测试
无铅镀层
符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准,且符合WEEE指令2002/96/EC
根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品

应用领域

电源
电机控制

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	20A
	导通电阻(RDS(on))	30mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	20W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	4.1nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	32pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	55pF