商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 35V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 290W | |
| 直流电流增益(hFE) | 15 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
该射频线路NPN硅功率晶体管主要设计用于2.0至30 MHz的高功率线性放大器应用。
商品特性
- 指定28 V、30 MHz特性 — 输出功率 = 150 W（PEP），最小增益 = 10 dB，效率 = 40%
- 150 W（PEP）时的互调失真 — IMD = -30 dB（最小值）
- 对所有相位角下30:1电压驻波比的负载失配进行100%测试
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