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SQJB60EP-T1_BE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SQJB60EP-T1_BE3

2个N沟道 耐压:60V 电流:30A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQJB60EP-T1_BE3
商品编号
C17214643
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.248克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))16mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)48W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)30nC@10V
输入电容(Ciss)1.6nF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)660pF

商品概述

采用先进TrenchMOS技术、塑料封装的中级栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管(FET)。该产品已根据适用的AEC Q101标准进行设计和鉴定,适用于高性能汽车应用。

商品特性

  • TrenchFET功率MOSFET
  • 通过AEC-Q101认证
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 符合RoHS标准
  • 无卤
  • N沟道MOSFET

应用领域

  • 12 V汽车系统
  • 启停微混合动力应用
  • 电动和电动液压助力转向系统
  • 变速器控制
  • 电机、灯具和螺线管控制
  • 超高性能功率开关

数据手册PDF