这款GaNFast™功率IC集成了高性能增强模式GaN FET和集成栅极驱动，实现了前所未有的高频和高效率运行。还集成了GaNSense™技术，能够实时、准确地感应电压、电流和温度，从而进一步提高性能和鲁棒性，这是任何分立的GaN或硅器件无法实现的。GaNSense™支持无损电流感应，消除了外部电流感应电阻，并提高了系统效率。GaNSense™还提供了短路和过温保护，以增强系统的鲁棒性，而自动待机模式则提高了轻载、微小负载及空载时的效率。这些GaN IC结合了最高的dV/dt抗扰度、高速集成驱动以及行业标准的低剖面、低电感SMT QFN封装，使设计者能够实现简单、快速且可靠的解决方案。Navitas的GaN IC技术扩展了传统拓扑结构（如反激式、半桥、降压/升压、LLC和其他谐振转换器）的能力，使其能够在MHz+频率下达到非常高的效率和低EMI，从而在极具吸引力的成本结构下实现前所未有的功率密度。

	属性	参数值
	商品目录	功率电子开关
	类型	高侧开关
	通道数	1
	输入控制逻辑	高电平有效
	工作电压	700V

	属性	参数值
	最大连续电流	4A
	导通电阻	330mΩ
	功能特性	短路保护；过温保护；过流保护；欠压锁定
	工作温度	-55℃~+150℃

NV6133A-RA

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