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AO9926C实物图
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AO9926C

2个N沟道 耐压:20V 电流:7.6A

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品牌名称
AOS
商品型号
AO9926C
商品编号
C17212330
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.172克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))52mΩ@1.8V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))1.1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.5nC@10V
输入电容(Ciss)630pF
反向传输电容(Crss)125pF
工作温度-
类型-
输出电容(Coss)-

商品特性

  • RθJA的值是在器件安装在1平方英寸、2盎司铜的FR - 4板上,环境温度TA = 25°C的静止空气环境中测量的。任何特定应用中的值取决于用户的具体电路板设计。
  • 功耗PD基于TJ(MAX) = 150°C,使用≤10s的结到环境热阻。
  • 重复额定值,脉冲宽度受结温TJ(MAX) = 150°C限制。额定值基于低频和占空比,以保持初始TJ = 25°C。
  • RθJA是结到引脚热阻RθJL和引脚到环境热阻之和。
  • 图1至图6中的静态特性是使用<300μs脉冲、最大占空比0.5%获得的。
  • 这些曲线基于结到环境热阻抗,该热阻抗是在器件安装在1平方英寸、2盎司铜的FR - 4板上测量的,假设最大结温TJ(MAX) = 150°C。SOA曲线提供单脉冲额定值。

数据手册PDF