商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 800mV | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 8mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 18pF | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
- 628-050-220-261
- M85049/139-4L
- 1N4006T-G
- SG-8018CE 66.0000M-TJHPA0
- SIT9120AI-2D3-XXE148.500000
- XPL32C912.000000I
- CUDD8-02 TR13 PBFREE
- 98424-G52-22KLF
- SIT8208AC-2F-33E-66.666660T
- XBHAWT-00-0000-0000T60E4
- 0424920328
- M85049/88-17P03
- SIT8008AI-21-18E-27.000000
- BD125-50-A-0305-0580-L-B
- 370-10-118-00-001101
- M22XP-MSB20-G
- 09120009970
- SG-8018CA 78.0000M-TJHPA0
- SIT1602BC-82-28N-35.840000
- US2Q-TP
- 2-6609943-5

