ALD910026SAL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10.6V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22000MΩ@2.20V,0.0001uA | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.62V@1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CMLDM8005由双P沟道增强型硅MOSFET组成，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。这些MOSFET具有极低的导通电阻rDS(ON)和低阈值电压。
商品特性
- 高达1800V的静电放电（ESD）保护（人体模型）
- 350mW的功耗
- 极低的导通电阻rDS(ON)
- 低阈值电压
- 逻辑电平兼容
- 小型SOT - 563表面贴装封装
- 互补双N沟道器件：CMLDM7005
应用领域
- 负载开关/电平转换-电池充电-升压开关-电致发光背光
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