商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 462W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 17nF |
商品特性
-功率半导体-超低导通电阻RDS(ON)-低米勒电容-超低栅极电荷-雪崩能量额定值-高耐用性-极低杂散电感-对称设计-内置用于温度监测的热敏电阻-高度集成
应用领域
-焊接转换器-开关电源-不间断电源-电机控制
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