NE3520S03-T1C-A
NE3520S03-T1C-A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NE3520S03-T1C-A
- 商品编号
- C17208709
- 商品封装
- SMD-4P
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 4V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 165mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 低噪声系数和高相关增益:典型值 NF = 0.65 dB,典型值 Ga = 13.5 dB。@ f = 20 GHz,VDS = 2 V,ID = 10 mA
- K 波段 Micro - X 塑料(S03)封装
应用领域
- 20 GHz 波段直播卫星低噪声下变频器(DBS LNB)
- 其他 K 波段通信系统
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