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NE3520S03-T1C-A

NE3520S03-T1C-A

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商品型号
NE3520S03-T1C-A
商品编号
C17208709
商品封装
SMD-4P​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)4V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)165mW
阈值电压(Vgs(th))-
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)-

商品特性

  • 低噪声系数和高相关增益:典型值 NF = 0.65 dB,典型值 Ga = 13.5 dB。@ f = 20 GHz,VDS = 2 V,ID = 10 mA
  • K 波段 Micro - X 塑料(S03)封装

应用领域

  • 20 GHz 波段直播卫星低噪声下变频器(DBS LNB)
  • 其他 K 波段通信系统

数据手册PDF