商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 12mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| FET类型 | N沟道 |
- 3QHM53D3.0-25.126
- 151-10-624-00-004101
- SIT9365AI-1E1-33N106.250000
- M6P-BAS2-220Y
- SIT1602BC-33-25N-65.000000
- 145B
- SIT8208AI-81-25S-35.840000
- APTM100TA35SCTPG
- SXO32C3C271-12.000M
- MM-212-037-161-0000-SK9
- 5530322306F
- SIT1602BI-12-XXS-72.000000
- TFM-110-23-F-D
- 850-10-028-10-003000
- 4-641120-8
- XLL720515.000000I
- PA-TS1D6SM18-40
- MPS-160TLTQ0
- SIT2001BI-S3-33E-25.000000
- CNX_310_056_E_4_1_18
- VS-VSKV56/04