商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
- 在12 GHz频率下输出功率为28.5 dBm
- 在12 GHz频率下小信号增益为13 dB
- 在12 GHz频率下功率附加效率(PAE)为48%
- 0.25×800微米难熔金属/金栅极
- 非常适合中功率、高增益和高功率附加效率应用
- 非常适合商业和高可靠应用
- 芯片尺寸:450×375微米
- 芯片厚度:100微米
应用领域
- 负载开关
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