- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MSCSM120HM31CTBL2NG
MSCSM120HM31CTBL2NG
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MSCSM120HM31CTBL2NG
- 商品编号
- C17207931
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 79A | |
| 耗散功率(Pd) | 310W |
商品概述
M31CTBL2NG器件是一款全桥1200 V/79 A碳化硅（SiC）MOSFET功率模块。所有额定值在结温TJ = 25~°C时给出，除非另有说明。该器件对静电放电敏感，必须遵循正确的处理程序。
商品特性
- SiC功率MOSFET，低导通电阻（RDS(on)），高速开关
- SiC肖特基二极管，零反向恢复，零正向恢复，开关行为与温度无关，正向电压（VF）具有正温度系数
- 极低的杂散电感
- 超轻重量和超薄外形
- 开尔文源极，便于驱动
- 采用厚铜Si₃N₄基板，提高热性能
- 内置热敏电阻，用于温度监测
- 扩展的温度范围
应用领域
高可靠性电源系统、高效AC/DC和DC/AC转换器、电机控制
- 627-025-322-043
- 3QHM53D3.0-33.3333
- SXO53C3B271-27.000M
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