商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 269W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 具备串联等效大信号阻抗参数特性
- 内部匹配,易于使用
- 最高可在32 VDD电压下工作
- 集成ESD保护
- 采用低热阻封装
- 引脚镀金厚度低,标称值为40μ"
- 符合RoHS标准
- 采用卷带包装。后缀R3表示每56 mm有250个器件,13英寸卷盘。
应用领域
-PCN和PCS基站应用-TDMA、CDMA和多载波放大器应用