- 引脚图
- 焊盘图
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VS-GT80DA120U
VS-GT80DA120U
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- VS-GT80DA120U
- 商品编号
- C17206388
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 658W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 139A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 170A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.55V@15V,80A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 570nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.4nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 235pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 134ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 281ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.2mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 179ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽 IGBT 技术
- 正 VCE(on) 温度系数，无铅
- 方形反向偏置安全工作区（RBSOA），符合 RoHS 标准
- 10 μs 短路能力
- HEXFRE D⊕ 低 Ωrr，低开关能量
- 最大结温 TJ = 150°C
- 全隔离封装
- 极低内部电感（典型值 ≤ 5 nH）
- 行业标准外形
- UL 认证文件编号 E78996
应用领域
不间断电源（UPS）、开关模式电源（SMPS）、焊接、感应加热
- SIT9121AC-2B3-33E98.500000
- AMS22S5A1BHAFL109
- 24_N-50-3-10/133_NE
- 7-6609946-3
- VS-2N686
- 549BAAC000112BBG
- SIT8208AI-83-28S-74.175824
- M6P-AMS1-06EY
- SIT8208AI-21-33S-66.000000
- DMC-M 83-01
- SQG32P3C481N-425.000M
- SIT1602BC-81-25S-33.000000
- MDLS-20189-LV-GLED4G
- 25QHM572D4.0-31.9488
- 360-10-142-00-001000
- D38999/32-K-11-N
- SIT8209AI-22-18S-200.000000
- 660-050XW11S6-10
- DECO2020SEO-00009
- VS-T50RIA120
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