MUN2112T1
MUN2112T1
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MUN2112T1
- 商品编号
- C17204850
- 商品封装
- SC-59
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 338mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 60@5mA,10V | |
| 输入电阻 | 22kΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款全新的数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT通过将这些分立元件集成到单个器件中,从而省去了它们。使用BRT可以降低系统成本并节省电路板空间。该器件采用SC - 59封装,适用于低功率表面贴装应用。
商品特性
- 简化电路设计
- 节省电路板空间
- 减少元件数量
- 湿度敏感度等级:1级
- ESD等级 – 人体模型:1类
- 机器模型:B类
- SC - 59封装可采用波峰焊或回流焊。改进的鸥翼形引脚在焊接过程中可吸收热应力,消除芯片受损的可能性。
- 提供8 mm压纹带盘包装
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