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TSM6866SDCA RVG

2个N沟道耐压:20V 电流:6A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM6866SDCA RVG
商品编号: C17204554
商品封装: TSSOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.135克(g)

商品参数

商品概述

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：电机控制直流-直流转换器负载开关

商品特性

先进沟槽工艺技术
用于超低导通电阻的高密度单元设计

应用领域

专为锂离子电池组设计
电池开关应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	6A
	导通电阻(RDS(on))	40mΩ@2.5V
	耗散功率(Pd)	1.6W
	阈值电压(Vgs(th))	-

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	5nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	565pF
	反向传输电容(Crss)	75pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	105pF