商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他模块 | |
| 类型 | 电源管理 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
该开发板采用半桥拓扑结构,集成板载栅极驱动器,搭载 EPC2029 eGaN 场效应晶体管(FET)。此开发板的目的是简化这些 eGaN FET 的评估过程,将所有关键组件集成在一块电路板上,便于连接到任何现有的转换器中。 开发板尺寸为 2 英寸×2 英寸,采用德州仪器 LM5113 栅极驱动器,以半桥配置包含两个 eGaN FET、电源和旁路电容。该电路板包含所有关键组件和布局,以实现最佳开关性能,并预留额外区域用于添加降压输出滤波组件。此外,还有多个探测点,便于进行简单的波形测量和效率计算。有关 EPC2029 eGaN FET 的更多信息,请参考 EPC 官网(www.epc - co.com)提供的数据手册。数据手册应与本快速入门指南配合阅读。
- 622-M37-260-BT1
- EHF-117-01-F-D-SM-P
- GCM1555G1H6R4CA16D
- 7-6609930-6
- VBO130-18NO7
- CTDSS1005F-185K
- EVB90392_BK_010
- XHP50D-H0-0000-0D0HJ20E1
- PA5432.682NLT
- 153-10-636-00-001000
- 809-108X19
- SIT9120AI-2DF-25E125.000000X
- DF51K-4S-2C(800)
- 7-6609939-1
- SXO21C3B161-16.000M
- 1718560105
- SIT8008BC-33-33E-16.000000
- 10-597502-145
- CA50C5003HMT
- LTMM-122-01-T-D
- MLDM2L-9SSB

