SMLJ16CE3/TR13
SMLJ16CE3/TR13
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- SMLJ16CE3/TR13
- 商品编号
- C17202694
- 商品封装
- DO-214AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.373克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 16V | |
| 钳位电压 | 26V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 115.4A@10/1000us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 3kW@10/1000us | |
| 击穿电压(VBR) | 19.7V | |
| 反向电流(Ir) | 2uA | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS |
商品概述
MSMLG5.0A–MSMLG170CA和MSMLJ5.0A–MSMLJ170CA系列高可靠性瞬态电压抑制器(TVS)可保护电路免受高达3000 W(10/1000 μs模型脉冲)的电压尖峰影响。DO-215AB封装的SMLG鸥翼式设计可实现可见的焊接连接。DO-214AB封装的SMLJ J形弯设计可提高PCB板的安装密度。可选型号包括单向和双向版本,以及符合RoHS标准的版本。它们可根据IEC61000-4-5标准防护雷电的二次效应,防护来自电感开关环境和射频辐射感应的电压脉冲。由于其响应时间几乎是瞬时的,它们还可根据IEC61000-4-2和IEC61000-4-4标准用于静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)防护。
商品特性
- 所有M前缀器件具备制造和组装批次可追溯性的高可靠性器件
- 所有器件均经过100%浪涌测试
- 对所有M前缀器件的待机电流(I D)进行3σ批次规范筛选
- 提供单向和双向两种版本
- 所有M前缀器件的湿度等级为“1级”,根据IPC/JEDEC J-STD-020B标准无需干燥包装
- 参考MIL-PRF-19500标准,M前缀器件提供增强可靠性筛选选项
- 提供符合RoHS标准的版本
- 提供轴向引脚等效封装的通孔安装器件,如M5KP5.0A至M5KP110CA,额定功率为5000 W
应用领域
- 抑制高达3000 W(10/1000 μs测试脉冲)的瞬态电压
- 防护开关瞬态和感应射频
- 根据IEC 61000-4-2和IEC 61000-4-4标准防护ESD和EFT
- 根据IEC 61000-4-5标准,源阻抗为42 Ω时的二次雷电防护:
- 1类和2类:SML 5.0A至SML 170A或CA
- 3类:SML 5.0A至SML 150A或CA
- 4类:SML 5.0A至SML 75A或CA
- 根据IEC 61000-4-5标准,源阻抗为12 Ω时的二次雷电防护:
- 1类:SML 5.0A至SML 170A或CA
- 2类:SML 5.0A至SML 90A或CA
- 3类:SML 5.0A至SML 48A或CA
- 4类:SML 5.0A至SML 24A或CA
- 根据IEC 61000-4-5标准,源阻抗为2 Ω时的二次雷电防护:
- 2类:SML 5.0A至SML 43A或CA
- 3类:SML 5.0A至SML 22A或CA
- 4类:SML 5.0A至SML10A或CA
- SG-8018CA 71.2200M-TJHSA0
- 1N2789
- XQEGRN-H0-0000-000000901
- AT88CKECC-AWS-XSTK-B
- 3-2842292-8
- SIT9365AC-2E2-30E30.720000
- SG-8018CE 150.3800M-TJHPA0
- TFML-115-02-F-D-A
- SIT2025BI-S3-XXN-125.000000
- SIT8208AC-8F-28E-38.000000T
- VI20100SG-M3/4W
- 3005W1SAR71AA0X
- ECS-100AX-040
- HN01 015 0052 2
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- SIT8208AI-81-33E-77.760000
- SIT1602BC-33-30E-19.200000
- SIT1602BC-72-30S-7.372800
- 514CAC000798AAG
- FN9222ES1-15-06

