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MMDT4401Q-7-F
MMDT4401Q-7-F
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- MMDT4401Q-7-F
- 商品编号
- C17201751
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 600mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 750mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
商品概述
这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（VCEO）> 40V
- 集电极电流（IC）= 600mA，高集电极电流
- 外延平面芯片结构
- 适用于中功率放大和开关
- 超小表面贴装封装
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC - Q101标准，具备高可靠性和生产件批准程序（PPAP）能力
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