APTC60VDAM24T3G
2个N沟道 耐压:600V 电流:95A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTC60VDAM24T3G
- 商品编号
- C17201491
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 462W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.4nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 超结MOSFET
- 超低 RDSon
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 坚固耐用
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低杂散电感
- 内置热敏电阻,用于温度监测
- 高频运行时性能卓越
- 可直接安装到散热器上(隔离封装)
- 结到外壳热阻低
- 电源和信号引脚均可焊接,便于PCB安装
- 薄型设计
- 每条支路可轻松并联,实现电流能力加倍的单升压
- 符合RoHS标准
应用领域
-交直流电机控制-开关模式电源-功率因数校正(PFC)-交错式PFC
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