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APTC60VDAM24T3G

2个N沟道耐压:600V 电流:95A

品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APTC60VDAM24T3G
商品编号: C17201491
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品特性

-超结MOSFET-超低漏源导通电阻(RDSon)-低米勒电容-超低栅极电荷-雪崩能量额定-非常坚固-开尔文源极,便于驱动-极低杂散电感-内置热敏电阻用于温度监控-高频运行时性能卓越-可直接安装到散热片上(隔离封装)-结到壳的热阻低-功率和信号引脚均可焊接,便于PCB安装-薄型封装-每个支路可轻松并联,实现电流能力加倍的单路升压-符合RoHS标准

应用领域

-交流和直流电机控制-开关模式电源-功率因数校正(PFC)-交错式功率因数校正

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	95A
	导通电阻(RDS(on))	24mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	462W
	阈值电压(Vgs(th))	3.9V@5mA
	栅极电荷量(Qg)	300nC@10V
	输入电容(Ciss)	14.4nF@25V
	工作温度	-40℃~+150℃