2SB1450S-DL-E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 7A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W；1.65W | |
| 直流电流增益(hFE) | 280 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 10MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- 表面贴装型器件，可实现以下功能。
- 减少应用2SB1450/2SD2199的设备的制造工序数量。
- 适用于高密度表面贴装应用。
- 减小应用2SB1450/2SD2199的设备的尺寸。
- 集电极 - 发射极饱和电压低。
- 由于安全工作区（ASO）宽，因此具有高抗击穿能力。
- RSSD50373C68R0JB01
- IPD1-16-S-K-R
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