CPH5614-TL-E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 810mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 240pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算机、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。
商品特性
- 低导通电阻。
- 超高速开关。
- 4V驱动。
- 单封装内含2个MOSFET的复合类型,便于高密度安装。
应用领域
- 直流-直流转换器-开关模式电源
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