- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2102AJ/R
1024位读/写静态MOS RAM (1024x1)
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- 描述
- 2102, 2102-1和2102-2是完全静态的读/写存储器，采用低阈值n通道硅栅技术制造。单5V电源供电。
- 商品型号
- 2102AJ/R
- 商品编号
- C17196498
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他接口 | |
| 工作电压 | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 功能特性 | - |
商品概述
2102、2102 - 1和2102 - 2是采用低阈值n沟道硅栅技术制造的静态随机存取读写存储器。
商品特性
- 完全静态
- 无需时钟
- 完全兼容DTL/TTL
- 单5V电源供电
- 具备三态输出，可进行线或连接
- EHT-120-01-F-D-SM-LC-P-TR
- EHT-110-01-T-D-SM-LC
- 09185145901
- HTSS-112-01-G-D
- SIT8208AI-3F-18S-31.250000T
- VUE-2156-FD45PX-N4
- SG-8018CA 146.285714M-TJHPA0
- EHT-120-01-S-D-SM-LC-K
- 0190350003
- 6609947-7
- TFM-140-12-L-D-A-P
- GCM31A5C3A820GX01D
- TFM-108-02-S-D-WT-TR
- XG5M-5036-N
- L130-2280003000W21
- CAS24F64C4BTR
- AWVF00252012R50T00
- 8D017W20AN
- 1421100
- 5-2367196-1
- MBR20H150FAT_T0_00001