TW048N65C,S1F
1个N沟道 耐压:650V 电流:40A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TW048N65C,S1F
- 商品编号
- C17195392
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@18V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 132W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@1.6mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@18V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.362nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.4pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 156pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力，并在通过IATF16949认证的工厂制造。
应用领域
- 电池供电系统和固态继电器
- 驱动器：继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等
- DC-DC转换器
- 电源管理功能
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