TW048N65C,S1F
1个N沟道 耐压:650V 电流:40A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TW048N65C,S1F
- 商品编号
- C17195392
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@18V | |
| 耗散功率(Pd) | 132W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@18V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.362nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.4pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 156pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 第三代芯片设计(内置碳化硅肖特基势垒二极管)
- 低二极管正向电压:VDSF = -1.35 V(典型值)
- 高电压:VDSS = 650 V
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 48 mΩ(典型值)
- 由于高阈值电压,不易发生故障:Vth = 3.0 至 5.0 V(VDS = 10 V,ID = 1.6 mA)
- 增强型模式
应用领域
-开关稳压器
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